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南亞科2026年資本支出翻倍至500億元 創新高擴充DRAM產能
2026年1月19日,南亞科在法人說明會宣布,2026年資本支出預計達新台幣500億元,較2025年實際支出的134億元大幅成長約2.7倍,刷新歷史紀錄。此資本支出計畫主要受益於2025年DRAM平均售價大幅上漲及產能滿載,2025年南亞科每股稅後純益(EPS)為2.13元,結束連續兩年虧損。
南亞科表示,約70%的資本支出將用於新廠廠務及無塵室建設,其餘則投入設備更新與製程技術升級,積極因應全球記憶體市場需求結構性變化。
2026年資本支出結構與新廠建設時程詳解
南亞科總經理李培瑛指出,500億元資本支出中約有62億元為2025年遞延款項,其餘用於擴廠及設備投資。新廠預計2027年初開始裝機,目標於2027年底前完成試產,並力拚2028年上半年達成月產能2萬片的目標。
新產能將涵蓋DDR4、LPDDR4、DDR5與LPDDR5等多元產品線,並積極導入1B製程技術以提升競爭力。目前南亞科產品組合中,DDR4及LPDDR4約占70%,DDR5約10%,未來將依市場需求調整產品比例。
DRAM市場供需趨勢推動南亞科積極擴產
2025年第四季南亞科單季稅後淨利達110.83億元,單季EPS為3.58元,創近五年新高。公司表示,DRAM市場依然呈供不應求態勢,尤其成熟製程產品如DDR4與LPDDR4供應緊縮,價格因而強勢上揚。
國際大廠集中投資DDR5及高頻寬記憶體(HBM),導致部分成熟品類供給短缺。南亞科擴大產能正是為因應此結構性需求缺口,搶占利基市場、提升穩定供貨能力。
財務與國際競爭影響分析
南亞科2026年資本支出大幅提升,反映公司對未來市場的樂觀信心,短期內預期將延續DRAM價格漲勢帶動獲利成長。此擴產計畫除強化南亞科競爭力,也鞏固台灣在全球半導體供應鏈,尤其記憶體產業的關鍵地位。
南亞科目前無明確赴美設廠計畫,李培瑛強調公司將專注於台灣本土產能擴充,並密切關注美國232關稅相關政策動態。同時,公司仍須克服新廠良率提升及技術升級挑戰,並留意全球貿易政策風險帶來的變數。
未來展望及產業政策連結
隨著AI與高效能運算需求推升伺服器記憶體市場,南亞科預期新產能將於2028年釋放,配合全球對成熟與次世代DRAM產品需求持續成長。公司強調會根據市場變化靈活調整產品組合與產能分配。
此策略符合台灣半導體產業政策方向,支持在地持續投資與技術升級,助力提升國際競爭優勢。市場與法人普遍看好此次擴產具利多基礎,但同時關注新廠導入進度及外部貿易環境帶來的挑戰。
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▲ 台灣台積電與日月光領百家企業成立SEMI矽光子聯盟,擬2025年啟動三大專案搶攻2030年78億美元市場(資料來源:SEMI官網)
欲了解南亞科與其他台灣半導體大廠在資本支出及全球市場布局上的競爭策略,可參考「台美確定維持15%關稅不疊加 台積電2025年資本支出達560億美元」。





